氮氧化物是一种典型的大气污染物，对环境和人类健康造成了巨大威胁。研究和开发能够用于准确检测和监控NO₂气体的高敏感性能气体传感器和相关气敏材料具有重要的实际需求意义。一维纳米结构半导体氧化钨由于其特殊的结构特性已经成为一类极有发展和应用前景的气体敏感材料。本论文采用溶剂热法合成了一维氧化钨纳米线气敏材料，详细研究了制备工艺条件和热退火温度对一维氧化钨纳米线的微观形貌结构、晶相结构和NO₂敏感性能的影响。采用溶剂热法在200oC条件下合成了不同纳米结构的氧化钨，以正丙醇作为溶剂，控制WCl6初始浓度可分别形成W₁₈O₄₉纳米线、WO3纳米片以及纳米线和纳米片的混合结构。以环己醇作为反应溶剂时由于氧化钨的快速生长可形成微米梁结构。而过长的反应时间会因纳米线束的形成而抑制纳米线在长度方向的生长。不同纳米结构材料的气敏性能的测试结果表明：W₁₈O₄₉纳米线基气体传感器对NO₂的气敏性能相对最好，不仅表现出良好的可逆性，而且具有高的灵敏度和快速的响应与恢复特性，在200oC工作温度下其对5ppm NO₂灵敏度可达123.6，响应时间和恢复时间分别为15s和112s。退火处理在改变纳米线束微结构的同时可使气敏性能得到显著改善。当退火温度超过400oC后，纳米线的晶相结构由单斜的W₁₈O₄₉转变为单斜的WO3。450oC退火的纳米线束，由于束内相邻纳米线之间的结构融合而形成一维片状结构。对经历不同温度退火处理的氧化钨气敏性能的测试结果表明：450oC和550oC退火形成的氧化钨对NO₂气体显示出了极佳的选择性并对低浓度的NO₂气体具有超高的灵敏度，150oC时，对1ppmNO₂的灵敏度可分别高达684.6和631。特别地，经450oC退火形成的一维片状WO3在最佳工作温度100oC下，对1ppmNO₂的灵敏度更可高达835.9。