近些年来,PZT作为一种优异的压电材料,已被广泛的应用到导航领域当中。在导航领域中,PZT材料凭借能够激发和感受高频振动的特点,被应用到固体波动陀螺谐振子压电电极（Pt/PZT材料/Pt）的制备中,其中以在圆柱壳体谐振子上的应用最为广泛。现阶段圆柱壳体谐振子均采用块体状压电电极,并用粘贴的方式固定在谐振子上。块体状压电电极会在很大程度上降低谐振子的品质因子,从而降低谐振子的测量精度。本文通过MEMS技术和溶胶-凝胶法在两种石英圆柱壳体谐振子上制备压电电极（Pt/PZT薄膜/Pt）,重点探究了PZT薄膜的制备工艺。PZT薄膜制备的探究工艺分为两个方案:第一种方案为在石英基底上制备压电电极,通过优化溶胶-凝胶法中单次旋涂厚度和退火时间两个参数来改善PZT薄膜质量;第二种方案为在沉积有氮化硅过渡层的石英基底上制备压电电极,实现石英基底到PZT薄膜线性膨胀系数的过渡,减小PZT薄膜开裂的几率。实验对两个方案的压电电极PZT薄膜进行了性能的测试,主要包括XRD晶向分析、漏电流分析、介电性能分析和铁电性能分析,分析结果具体如下:方案一中的PZT薄膜XRD晶向分析显示随着退火时间的增加,PZT薄膜的110晶向强度逐渐增加,但是增加幅度逐渐减小,说明随着退火时间的增加,PZT薄膜内部晶粒的结晶更加的充分,生成的焦绿石矿和氧空位缺陷越少,钙钛矿占的比例越大。方案二中的PZT薄膜XRD晶向分析显示其拥有很强的110晶向,这说明PZT薄膜内部拥有良好的钙钛矿结构;方案一和方案二的漏电流测试结果显示当退火时间为5min和单次旋涂厚度为40nm和50nm时,PZT薄膜的漏电流相对最小,其能够达到2.5x10^-9A;方案一和方案二的介电性能测试结果显示退火时间为5min和单次旋涂厚度为40nm时,PZT薄膜介电性能相对最好,相对介电常数的范围为1492¹307;方案一和方案二的铁电性能的测试结果显示退火时间为5min和单次旋涂厚度为40nm时,PZT薄膜具有最好的铁电性能,其正负剩余极化强度分别达到13.51μc/cm²和-12.83μc/cm²。综上分析可知,当退火时间5min和单次旋涂厚度为40nm时,制备出的PZT薄膜拥有相对较好的压电性能。搭建品质因子测量装置,测试两种圆柱壳体谐振子的品质因子,其品质因子分别能够达到395258和526428,远超其他块体状压电电极谐振子的品质因子。