AlN陶瓷覆Cu基板凭借其热导率高,绝缘性好,介电常数低,耐高温,抗腐蚀以及与芯片相近的热膨胀系数等优点,成为大功率电子器件封装基板的首要选择。目前AlN陶瓷和Cu难以连接,制备成本高。本文旨在开发出一种成本低廉、工艺简单和连接可靠的方法,以实现AlN陶瓷和Cu的连接。该方法借用陶瓷和金属传统连接思路,独创性的采用厚膜金属化法,在AlN陶瓷表面制备一层网状多孔Cu层,然后以Ag箔为中间层材料,将预金属化处理的AlN陶瓷和Cu在真空下瞬时液相扩散连接,获得连接良好的AlN/Cu接头。系统研究了连接工艺对接头强度的影响、接头形成机理和后续强化方案。研究结果表明:（1）AlN陶瓷基板表面丝网印刷一层厚度约为100μm的CuO电子浆料。1080烧结30 min,400还原处理2 h,在AlN陶瓷基板表面可制备一层孔隙分布均匀的网状多孔Cu层。然后以Ag箔为中间层,在850,保温20 min的连接工艺下,真空下瞬时液相扩散连接预金属化处理的AlN陶瓷和Cu,得到连接良好的AlN/Cu接头,剪切强度达55.9 MPa。接头典型组织结构为Cu/Ag（s,s）+Cu（s,s）/Cu Al O2+Al2O3+Cu（s,s）/AlN。（2）网状多孔Cu层中分布均匀的孔隙结构,有利于焊缝组织分布均匀,形成网状焊缝,降低接头残余应力;烧结后界面反应层中形成的八面体状的Cu Al2O4,还原后转变为Cu Al O2但形貌维持不变,连接时Cu Al O2易被Cu润湿,并分解产生Cu原子与焊缝中Ag原子结合,增加界面结合力。此外形貌呈八面体状的Cu Al O2起到锚的作用。（3）新方法连接预金属化AlN陶瓷和Cu的连接机理为,首先利用厚膜金属化法在AlN陶瓷表面制备一层网状多孔Cu层,然后通过Ag与Cu之间扩散生成低熔点合金液相填充焊缝层,形成有利于缓解残余热应力的网状焊缝。同时借助界面反应层中缓释出的Cu原子,与焊缝中的Ag原子固溶,使得界面反应层之间结合牢固,最后成功键合AlN陶瓷和Cu。（4）在CuO电子浆料中加入0.4 mol%的Al2O3,制备网状多孔Cu时,有助于降低多孔Cu中大孔数量,略微降低界面反应层厚度。连接时焊缝厚度增加,此外Al2O3存在会阻碍Cu（s,s）晶粒长大,细化焊缝组织,提高焊缝塑性变形能力,降低接头中残余应力,接头剪切强度提高到67.9 MPa,相比于未添加Al2O3时,剪切强度提高21.4%。