功率VDMOS是功率电力电子的主流产品之一。它具有高输入阻抗、高开关速度、很好的热稳定性以及宽安全工作区等特点,广泛地应用于马达驱动、开关电源、汽车电子、节能灯等各种领域。根据本课题组研究工作可知,VDMOS功率器件的研制在我国目前还属于起步阶段,对于高压VDMOS的研究还不够成熟。因此本课题旨在设计VDMOS功率器件模型并对其进行仿真研究。通过计算和仿真分析找出高压VDMOS器件结构最佳化的设计,器件达到漏源击穿电压650V的基本要求。本文介绍了VDMOS功率器件的基本结构和工作原理及VDMOS的静态和动态两部分的特性参数。静态特性中关键的就是击穿电压和导通电阻的权衡问题,而动态特性主要是对寄生电容和开关特性进行分析。器件设计方面,从结构及参数出发进行设计计算,并分析了元胞基本结构,在满足预计设计的击穿电压基础上,设计了器件各部分的掺杂浓度,根据VDMOS的基本设计参数,做出网格分布图及半胞结构图,利用MEDICI软件对器件的静态特性和动态特性进行了仿真,并对仿真结果进行了分析。在静态特性中,主要对击穿电压,Ⅰ-Ⅴ输出特性、转移特性进行了仿真分析。随着温度的增加,阈值电压减少。在动态特性方面,主要对电容特性和开关特性进行仿真分析,得出比较满意的结果,达到设计要求。