本论文围绕着制备大面积纳米材料阵列这一主题，利用溶液法、气-固法、自组装法、模板法、电化学法，设计制备了一系列低维大面积生长的有序阵列，包括有机/无机、无机/无机杂化纳米材料阵列，并研究了它们的性质，主要有以下几部分内容：　　 1.利用溶液法、气-固法合成了一种有机电荷转移复合物11，11，12，12-四氰基对蒽醌二甲烷-铜的纳米结构阵列。在铜基底上生长的大面积11，11，12，12-四氰基对蒽醌二甲烷-铜的纳米墙阵列在场发射方面显示出优异的性能，开启电压为4.5V/μm(电流密度达到10μA/cm2)，最大电流密度达到了11mA/cm2。　　 2.用溶液组装的方法合成了基于有机电荷转移复合物7，7，8，8-四氰基对苯醌二甲烷-铜和无机氧化物的有机/无机杂化材料。研究表明，相对于单纯的有机电荷转移复合物纳米线阵列，杂化纳米线阵列显示出了更为优异的场发射性质，并且该杂化纳米线具有很好的场发射稳定性。该方法制备的杂化纳米线阵列是场发射冷阴极的良好的备选材料。　　 3.以氧化锌为模板，通过电聚合方法制备了聚苯撑乙烯/氧化锌的壳核纳米棒阵列。通过调节聚合过程中的电流密度可实现对壳层结构厚度的调控。该体系在光电转换器件方面有潜在的应用价值。　　 4.以氧化锌纳米棒阵列为模板，在其表面经过层层置换反应，制备了几种基于氧化锌的复合材料的壳/核纳米棒阵列。此方法为制备无机复合纳米材料阵列开辟了新的途径。　　 5.通过原位自组装的方法，合成了大面积规则生长的草酸盐纳米阵列。通过采用氢氧化铜纳米线为模板，在草酸水溶液中经原位反应得到大面积生长的草酸铜纳米结构阵列。扫描电镜研究了浓度和温度对于阵列生长的影响。改变条件可以分别得到纳米线、纳米管，纳米棒的草酸铜纳米阵列。