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ZnO具有纤锌矿晶体结构,属于直接宽带半导体,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV。作为新一代半导体材料,氧化锌具有广泛的应用,如：ZnO薄膜可以制成短波长光电子器件,透明导电膜,表面声波器件,纳米发电机等。尽管近年来ZnO的研究遇到了瓶颈,但是人们依然对ZnO的未来充满了信心。本文采用脉冲激光沉积(PLD)法,在不同沉积条件下,制备了ZnO和ZnO:P薄膜。借助扫描电子显微镜、原子力显微镜分析、X射线衍射分析、电子探针、室温和变温光致发光谱分析(PL),我们分析了所沉积的ZnO和ZnO:P薄膜的表面形貌、晶体结构、成分和光学特性。主要结果如下：Ⅰ采用脉冲激光沉积方法,通过改变沉积气压,在750℃、Si(100)基片上制备一系列具有c轴取向的ZnO薄膜。扫描电镜结果表明氧分压越高,薄膜表面粗糙度越大。氧分压对薄膜结晶质量有显著影响。在0.2Pa～5.0Pa的范围内时,ZnO薄膜的结晶质量随氧分压的增加逐渐提高;当工作气压达到10Pa时,薄膜的结晶质量急剧下降。低温光谱表明,在3.314eV附近荧光峰可能是(D0,h)跃迁,所对应的浅施主能级位于导带底以下124meV。Ⅱ采用脉冲激光沉积方法,通过改变激光能量,在Si(100)基片上制备了一系列具有c轴取向的ZnO薄膜。不同激光能量下沉积的ZnO薄膜的表面形貌大致相同。在适当范围内,减小激光能量,有利于降低薄膜的表面粗糙度。激光能量在186mJ左右时,能够生长出结晶质量较好的ZnO薄膜。薄膜厚度与激光功率成近似的正比关系,但薄膜的沉积速率还受其他因素影响。Ⅲ采用脉冲激光沉积方法,通过改变沉积气压,在Si(100)基片上制备一系列具有c轴取向的ZnO:P薄膜。沉积气压的增加有利于P的掺入。薄膜表面上出现的小球是P的富集区。P的掺入可能是导致半峰宽变化的主要原因之一。在室温下,P掺杂没有明显改变ZnO的带隙荧光发射。