本文主要讨论研究了Ba₂Ti₉O₂₀（以下简称B₂T₉）介质陶瓷基于微波的介电特性。由于B₂T₉的成核率比较低，且在烧结过程中存在着很多的第二相，当采用传统的固相法合成B₂T₉介质陶瓷时烧结温度较高且容易发生分解。本文主要采用向试样中掺杂玻璃相、采用较小颗粒为起始原料和采用溶胶凝胶法三种方式致力于降低B₂T₉介质陶瓷的烧结温度，改善其介电性能。通过实验我们可以看出，采用小颗粒的粉料为起始原料制备的B₂T₉介质陶瓷试样的晶粒大小分布均匀，形状比较的规则，烧结的致密性好，具有良好的成瓷性，采用该方法制备试样能降低烧结温度，并改善其介电性能，其最佳的烧结温度为1240℃，介电损耗为：tanδ=1.4×10^-4。其XRD结果表明，随着低熔点的掺杂剂BaB₂O₄掺杂量的增加，试样中BaTi₄O₉逐渐代替B₂T₉成为主晶相，且在烧结后期BaB₂O₄与试样发生化学反应生了一种新的密度较低的化合物BaTi（BO₃）₂，这就导致了随着掺杂量的增加试样的密度降低，进而其介电常数也不断地减小，其介电损耗在掺杂量为2wt%，烧结温度为1240℃时达到最佳烧结为：tanδ=1.03×10^-4，可见在一定程度上改善了其介电性能。采用溶胶凝胶法合成B₂T₉介质陶瓷的XRD结果表明，当煅烧温度为700℃时粉料煅烧后主要获得的是BaTi₅O₁₁，当煅烧温度为750℃时其粉料的主晶相为BaTi₄O₉，当试样在800℃下煅烧时B₂T₉为试样的主晶相。采用溶胶凝胶法合成B₂T₉介质陶瓷试样且当H₃BO₄掺杂量为8wt%时在1240℃下即可达到致密烧结，并且B₂T₉的样品的介电常数随着掺杂量的增加不断地增大，其介电损耗随着掺杂量的增加不断地减少，即H₃BO₄在一定程度上能够促进B₂T₉的烧结，降低烧结温度，改善了其介电性能。