蚀刻在半导体工艺中主要负责图形转换的过程,线宽的变窄对工艺的稳定性提出了相当高的要求。90nm以下的逻辑产品,铜互连成为替代铝连线的标准工艺。但是,铜极易在氧化物中扩散,生产中如何避免污染,保持刻蚀率的稳定是很重要的问题。本文所涉及的Liner Remove工艺步骤,就是在的刻蚀步骤中会接触到铜,所述的蚀刻腔体的精确匹配就是要满足这种稳定性需求:在空间上,也就是当有新产品需要认证或是新机台需要投入使用时,反应腔与标准腔体要匹配,需要各个子系统的偏差都在许可的范围内。通过调节机台硬件参数,使反应腔能与标准腔体匹配。要使各个机台生产出来的产品尺寸都是一致的。纵向在时空上,要求先后生产出来的产品规格要一致,机台本身的性能始终要和以前刚开始生产的时候匹配。通过dry clean的方式,有效解决了刻蚀不均匀度变差的问题。运用DOE的实验方法找到了保证制程稳定的工艺调试窗口;经过进一步的实验,找到了降低刻蚀率不均匀度的工艺程式。机台的性能不能因为维修或是保养而发生重大变化,要以机台性能的一致性来满足工艺稳定性的要求。当产品出现问题时,只有确认硬件在偏差范围内,硬件参数无法可调时才会考虑调整工艺参数来维持产品参数的稳定、匹配。