多孔硅的研究与开发对于实现硅基光电集成电路具有重要意义。稀土掺杂多孔硅可以获得从紫外、可见到红外波段的有效发光,可应用于各类光电器件中。本论文主要在多孔硅的制备工艺改进和稀土掺杂对多孔硅发光性能改善方面开展了工作。同时对多孔硅的整流特性、场发射性质以及多孔硅衬底对薄膜发光材料发光性能的影响进行了研究。得到了以下主要结论: （1） 多孔硅的制备工艺改进:研究了腐蚀电流、退火对多孔硅发光性能的影响;金属（铁）掺杂对多孔硅发光的影响;多孔硅的纳米颗粒在溶液中的发光;湿法腐蚀,可以得到不同波长的多孔硅的发光;发现了制备方法更为简便的镍酸镧电极取代铝电极工艺。 （2） 稀土掺杂对多孔硅发光性能改善:用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土（Tb、Gd、Pr、Dy、Sc）离子的化学掺杂。利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光（PL）特性。用扫描电镜（SEM）研究了薄膜的表面形貌。用卢瑟福背散射谱（RBS）分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况。结果表明,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度,并且发光峰位出现蓝移。这是由于Tb³⁺的4f能级⁵D₄-⁷F₃,⁵D₄-⁷F₂,和⁵D₄-⁷F₀,的跃迁发光引起的。而在掺入Gd的情况下,则观察到蓝光发射。Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射,其强度可与多孔硅的红光强度相比较,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射。 发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,尤其是稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为:稀土掺杂引入新的表面态,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O-Si-O-Re-O,从而在多孔硅表面形成新的发光中心;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用,从而增强了多孔硅的蓝光发射。 （3）多孔硅衬底对薄膜发光材料发光性能的影响:将TiO₂:Eu³⁺薄膜沉积到4种不同的基底:Si,Al,AAO（氧化铝模板anodic alumina oxide）和多孔硅。我们发现稀土在AAO做基底时的发光强度与Si或Al做基底时相比增强了4倍,稀土的发光强度在多孔硅做基底时与Si或Al做基底时相比有明显降低。稀土的发光强度在多孔硅做基底时与Si或Al做基底时相比有明显降低的主要原因是多孔硅的表面颜色呈黑褐色,深颜色的表面吸收光多,反射的少。而抛光过的Si