论文部分内容阅读
射频和微波单片集成电路(MMIC)技术为现代无线通信、定位、传感、识别等系统提供了关键的核心元器件及电路,这对当今各种无线技术的飞速发展起到了关键的作用。微波数字移相器作为相控阵雷达和电子战中有源相控阵发射/接收(T/R)组件的最关键电路,控制阵列上各个辐射单元的相位变化,以实现天线波束在空中快速电控扫描,并对空中飞行的运动目标实现快速的探测和跟踪。由于其重要的军用背景而一直倍受重视。经过多年的发展,基于GaAs材料和各种先进工艺为基础,MMIC技术的小型化移相器设计方法迅速发展。超宽带单片数字移相器设计和制造技术一直是某些发达国家对我国实施军事禁运的技术,由于超宽带单片数字移相器技术的鲜明国防和军事应用背景,使得我们开展对超宽带MMIC数字移相器的设计和制造技术的研究有着非常重要的意义。本文首先分析了各种数字移相器的基本原理和电路拓扑,然后分析了组成移相器的各种无源器件,重点介绍了数字移相器中的核心控制器件PHEMT管芯等效电路模型参数的拟合方法,讨论和比较了不同位数移相器拓扑结构的特点,选择了各个不同位数合适的电路拓扑。使用Agilent公司的ADS软件,设计了6～18GHz超宽带6位MMIC数字移相器,经仿真优化达到了优异的电性能。6位超宽带MMIC数字移相器采用0.5μm InGaAs PHEMT工艺实现,六位移相器级联后,在6～18GHz的工作频段内达到的总体指标为:64种相移态相移误差最大值为±3~0,输入驻波比典型值1.5,输出驻波比典型值1.85,级联插入损耗最大值为8.22dB,最小值为4.8dB,芯片面积为4mm×3.5mm×0.1mm,设计结果均优于设计要求,为流片工艺容差带来的性能恶化留有足够余量。