【摘 要】
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工艺技术水平是目前制约大多数MEMS/NEMS设计、生产和应用的核心问题,其中工艺过程中对微器件施加的工艺应力以及工艺导致微器件的残余应力则是关系MEMS/NEMS制备成品率、稳定性、可靠性以及寿命的关键环节之一。对MEMS工艺残余应力采用高精度高空间分辨率的手段进行基于工艺时序的无损检测是当今MEMS相关领域发展的重点与难点。本文首先简要介绍了包括微拉曼、X射线衍射和中子散射技术的基本概念和设备
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工艺技术水平是目前制约大多数MEMS/NEMS设计、生产和应用的核心问题,其中工艺过程中对微器件施加的工艺应力以及工艺导致微器件的残余应力则是关系MEMS/NEMS制备成品率、稳定性、可靠性以及寿命的关键环节之一。对MEMS工艺残余应力采用高精度高空间分辨率的手段进行基于工艺时序的无损检测是当今MEMS相关领域发展的重点与难点。本文首先简要介绍了包括微拉曼、X射线衍射和中子散射技术的基本概念和设备,并就各自测量微尺度下残余应力的主要原理和特点进行了专项讨论。此外,本文针对微拉曼和X射线衍射
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