本文采用首先合成PZT、然后加入掺杂剂的方法，获得了压电性能优良的压电陶瓷，XRD测试表明，其结构为钙钛矿结构，组成点位于MPB相界附近。坯体的成型压力为300MPa，烧结采用PZT基料密封埋烧。SEM测试表明，用合成钨铜酸钡的原料形式掺杂的PZT压电陶瓷烧结致密，晶粒发育饱满，大小均匀，粒径尺寸在3～6μm之间，且材料失铅较少；EDS线扫描结果表明，材料内部成分分布均匀。元素锰的引入可明显的提高材料的机械品质因数，降低材料的介电损耗，但材料的压电性能有所降低；EDS测试表明，元素Mn大部分析出在晶界上。通过实验研究得出了制备该体系材料的最佳工艺条件：300℃排胶，保温30min；900℃预烧，保温2h；1150℃烧成，保温4h；以3kv/mm极化电压在1 30℃下极化20min。用化合物钨铜酸钡掺杂的PZT材料烧结不致密，离子替代反应不完全，压电性能差。本文还对用合成钨铜酸锶的原料形式掺杂的PZT材料进行了研究，发现掺杂剂可以明显促进材料的烧结，抑制晶粒长大，但改性后材料的压电性能有待进一步提高。对材料的性能测试表明：钨铜酸钡掺杂改性的PZT-BCW*压电陶瓷，压电常数d33高达720pC/N，居里点较高，为325℃，在较高的温度下仍然保持良好的压电性能。下一步的研究主要是进一步降低材料的介电损耗，获得压电性能更加优良的材料，使该体系压电陶瓷在高温元器件得到应用。