镁合金表面原位生长微弧氧化陶瓷膜层是解决镁合金表面腐蚀问题的有效途径之一,但微弧氧化膜层多孔、绝缘限制了镁合金的应用范围。本论文采用原子层沉积技术在镁合金微弧氧化膜层表面沉积防腐、透明和导电的AZO薄膜,进一步改善其导电性能和耐蚀性能,为镁合金的广泛应用提供理论基础。采用原子层沉积技术制备了AZO薄膜,研究了沉积压力和温度等工艺参数、薄膜厚度及铝掺杂量等对AZO薄膜导电性能的影响规律。采用SEM、XRD、XPS和霍尔测试仪对AZO薄膜的表面形貌、组成和导电性能进行了表征和分析。研究结果表明,沉积温度为150℃~175℃,压力为0.15 torr~0.20 torr,薄膜厚度大于100 nm时,得到了均匀致密,沿(100)晶面择优取向、透过率大于80%的AZO薄膜。铝掺杂量对AZO薄膜导电性能影响较大,随着铝掺杂量的增加,薄膜的导电性能逐渐提高;当铝掺杂量为3.4%,电阻率达到最小值,为7.2×10-4Ω?cm;当含量进一步提高,膜层电阻率增大,导电性能下降。利用原子层沉积技术在微弧氧化膜层表面沉积透明导电AZO薄膜,研究AZO改性后微弧氧化膜层的表面形貌、组成、导电性能和耐蚀性能。研究结果表明,随着AZO薄膜厚度的增加,导电性能和耐蚀性能逐渐提高;当AZO膜层厚度大于150 nm时,改性后微弧氧化膜层的电阻率从1×107Ω?cm降低至4.5Ω?cm,腐蚀电位由-1.322 V升至-0.550 V;随着AZO薄膜厚度的进一步增加,其电阻率和腐蚀电位基本保持不变。耐蚀性能的提高主要是由于镁合金微弧氧化膜层经原子层沉积AZO改性后,膜层中的深孔和裂纹被AZO覆盖,表面静态疏水角由45.02°增大至130.78°,减缓了腐蚀介质的进入,从而提高了微弧氧化膜层的耐蚀性能。