基于BiCMOS工艺的超宽带ESD电路研究与设计

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随着频带资源的日益紧张,人们试图更多地利用免费的高于传统射频频段的宽频段资源来实现无线射频通信,伴随而来的越来越多的超宽带射频集成电路将会出现在人们的日常生活当中。超宽带集成电路的ESD防护问题的难点在于有效保护芯片静电损伤的同时还要尽量避免对超宽带射频信号的影响,此外区别于传统ESD防护问题,ESD防护器件还需要具有稳定的频率特性以减小宽频带内的波动影响。本文从ESD防护角度出发,探索和研究超宽带射频ESD防护的解决方案。本文首先详尽介绍了超宽带射频ESD防护的特点并阐述了国际ESD协会推出的几种通用的ESD事件模型和测试组合,并简要说明了目前主流的超宽带ESD测试方法。然后分析了常用的几种ESD防护器件,并结合全芯片ESD防护方案给出电源箝位电路的工作原理。而后,本文研究了超宽带ESD防护电路设计的重难点,并在此基础上设计了寄生电容小至40fF的ESD防护电路。然后对工作在7-14GHz的超宽带射频低噪声放大器的I/O口进行了ESD防护设计效果评估,分析了引入ESD防护后对射频芯片性能的影响。进一步的,采用射频低噪声放大器与ESD联合设计的方法对电路进行了优化设计。最后,本文对所设计的协同ESD防护的超宽带射频LNA模块进行了仿真验证,并在进行设计优化之后,将结果与优化设计前的结果进行了对比,仿真结果有效验证了本文中所提及的超宽带射频芯片协同ESD设计方法的可行性。
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