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氮化硅薄膜是一种多功能材料,在许多领域有着广泛的运用:在微电子材料及器件生产中,氮化硅作为钝化膜、绝缘层和扩散掩膜;在硅基太阳能电池中,氮化硅用作钝化膜和减反射膜;在硅基发光材料中作为硅纳米团簇的包埋母体等等。本文在系统综述氮化硅薄膜的性质、应用及多种制备方法的基础上,应用射频磁控溅射系统,以氩气和氮气为气源,控制氩气流量为16sccm,溅射功率为100W,衬底温度为100℃下分别在硅衬底和玻璃衬底上,在不同氮气流量下制备了氮化硅薄膜,研究了氮气流量对氮化硅薄膜性质的影响。通过红外光吸收（FTIR）分析,X射线衍射（XRD）分析,紫外-可见光透射谱（UV-VIS）,室温光致发光谱（PL）和光致发光激发谱（PLE）等多种检测手段,对薄膜材料的微观结构和光学特性进行了表征和分析,结果如下:（1）Ar/N2比对氮化硅薄膜特性有显著的影响,薄膜的光学带隙随Ar/N2的增加而减小,在可见光范围内薄膜样品具有很高的透过性。（2）在a-SiNx薄膜的透射谱中出现了基本吸收区,吸收边出现了类似于非晶硅的次带吸收,并将此结果归因于硅颗粒表面的硅悬键。（3）在可见光范围内薄膜有很好的光致发光性质。在381nm波长光的激发下,SiNx薄膜的主要发光峰位位于520nm（2.38eV）,553nm（2.24eV）,573nm（2.16eV）,587nm（2.11eV）和627nm（1.98eV）。本文提出了氮化硅薄膜光致发光的能隙态模型,并用此模型解释了氮化硅薄膜光致发光的原理。