目前常规的GaN半导体发光二极管（LED）器件中，由于发光部分产生的热量无法有效释放，导致热量不断累积使温度上升，加速LED芯片的劣化。本文研究了一种在侧壁具有导热保护层的GaN基LED新结构，能够实现侧壁的表面钝化，并改善器件的散热特性。通过在较高的电流下对具有Al2O3、AlN和AlON等不同绝缘材料保护层的LED进行电流加速老化实验，分析输出功率随老化时间的变化关系，开展了侧壁保护层对LED可靠性影响的实验研究。实验结果表明，在侧壁形成保护膜的GaN基发光二极管的输出功率降低速度较慢。本研究中，首先制造了垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED，并对其电流加速老化特性进行了测试。随后分别采用Al2O3、AlN和AlON材料在LED侧壁形成保护层。并对具有不同保护层材料的LED在20mA和50mA注入电流下进行加速老化实验，比较了其输出功率随老化时间的变化规律。实验结果表明，含有AlON材料保护层的LED光输出功率随老化时间的降低明显变缓，证明AlON保护层有利于提高LED芯片的可靠性。分析表明，这是由于AlON材料具有优良的热导率，能够有效地将LED有源区散发的热量进行疏散。同时，AlON具有表面钝化的作用，可以减少LED侧壁表面的悬挂键，从而改善器件的可靠性。本论文的研究对于提高GaN基LED的可靠性，推动半导体照明的进一步发展，具有积极的意义。