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本文对半导体量子点的三阶极化率进行了研究。文章通过一个球形量子点、无限深势阱模型，利用密度矩阵方法推出的三阶极化率，计算了弱、强两种模式下量子点的非线性三阶极化率的值。对计算的结果可以看出，在弱受限模式下，计算当R0=5aB*时，考虑激子效应后的三阶极化率要比不考虑激子效应的三阶极化率数值上大三个数量级，说明激子效应能显著增大量子点的非线性效应；计算在弱受限模式下三阶极化率比强受限模式下的三阶极化率也要大几个数量级，说明在激子效应显著的较大的量子点中的非线性效应要显著的多。