【摘 要】
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GaSb半导体化合物由于它们的能带结构特点在电子和光电子器件的应用方面有着广泛的前途。在金属与GaSb半导体接触中,金属半导体接触势垒对器件有着重要影响,而费米能级钉扎效
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GaSb半导体化合物由于它们的能带结构特点在电子和光电子器件的应用方面有着广泛的前途。在金属与GaSb半导体接触中,金属半导体接触势垒对器件有着重要影响,而费米能级钉扎效应是导致接触势垒不可调制的主要原因。在这篇文章中,主要通过使用原子层沉积技术(ALD),在金属Au与半导体GaSb之间刻意插入一层均匀的氧化物界面层,并研究不同厚度的氧化物薄膜作为界面层对Au/GaSb接触的影响。根据二极管的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性曲线所表现出不同的非线性阻抗特性(整流特性),计算出了不同厚度、不同介电常数的氧化物界面层薄膜的GaSb二极管的势垒高度和理想因子等参数,并对结果进行了分析,发现一定厚度氧化物界面层薄膜对费米能级钉扎效应起到一定的松动作用。
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