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二氧化钛作为一种最为常见的n型半导体材料由于能带间隙(Eg=3.2eV)较大,只能被能量相对较高的紫外光(λ<387 nm)激发,而紫外光在太阳光中的比例不到5%,因而在很大程度上限制了其对太阳光的有效利用。在本论文的工作中,我们通过将能带间隙较小的半导体材料g-C3N4(Eg=2.69 eV)修饰到二氧化钛纳米管阵列(TiNTs)上,将Ti02对光的响应范围拓宽至可见光区,并研究了 g-C3N4/TiNTs纳米复合材料在可见光下的光催化活性和光电化学(PEC)应用。第一章简要概述了二氧化钛的结构和