ZnGa2O4作为是一种自激活新型发光材料，最近受到了研究人员的广泛关注。它具有优秀的化学热稳定性和颜色纯度，其本身也是一种良好的发光材料基质，而被广泛应用到真空荧光显示器件，场发射显示器件，等离子体显示器件等。同时ZnGa2O4还具备优秀的发光性能以及光催化性能。鉴于此，本文结合ZnGa2O4的长余辉和光催化特性，把长余辉材料的陷阱能级分析方法引用到光催化材料中，通过陷阱的引入有效地提高光生电子和空穴的分离，从而讨论提高材料光催化性能的方法。本文主要内容包括以下三个方面:　　采用高温固相法制备了ZnxGa2O3+x(x=1，0.95，0.9，0.85，0.8)系列长余辉荧光粉。其中，ZnGa2O4，Zn0.95Ga2O3.95和Zn0.9Ga2O3.9的XRD图谱与标准卡片图谱一致，Zn0.85Ga2O3.85和Zn0.8Ga2O3.8均出现少量β-Ga2O3的相。光致发光谱表明随着Zn2+离子浓度逐渐降低，发射谱出现了红移的现象，这是由于离子间的替代而导致晶格常数的变化。余辉衰减曲线表明适量减少Zn的含量可以提高长余辉发光性能，其原因已通过热释光曲线分析详细说明。光催化特性分析表明Zn浓度适量降低，还可以提高ZnGa2O4的光催化活性，是因为Zn0.85Ga2O3.85在陷阱能级中可以产生更多的电子陷阱捕获光生电子，有效地提高光生电子和空穴的分离。　　采用高温固相法合成了ZnGa2O4+m％H3BO3(m=0，10)长余辉荧光粉。X射线衍射分析(XRD)看出添加少量H3BO3并没有改变ZnGa2O4的晶体结构。从光致发光谱可看出两个样品的光致发光谱峰形相近。余辉衰减曲线表明添加适量的H3BO3可以有效地提高ZnGa2O4长余辉性能，并且用肉眼可观察到30min以上的绿光长余辉发射。光催化特性分析表明了ZnGa2O4+10％H3BO3的光催化活性比ZnGa2O4弱，其原因已结合材料形貌结构详细分析。　　采用高温固相法制备了Li0.15Zn0.85Ga2O4荧光粉。XRD图谱表明Li+离子进入ZnGa2O4晶格中并取代部分Zn2+离子的位置。拉曼光谱分析表明具有ZnGa2O4的一阶拉曼模仅来源于四面体格位的振动情况。光致发光谱和余辉光谱说明了掺杂Li+离子后，ZnGa2O4的发光性能有所提高，其原因是增加了阳离子空位的浓度。余辉衰减曲线说明适量掺杂Li+离子可以提高长余辉性能并用热释光特性分析是因为增加了陷阱的浓度。光催化特性分析表明Li0.15Zn0.85Ga2O4具有较高的光催化活性，因为引入了更多的电子陷阱，导致更多的光生电子空穴被陷阱俘获，增强电子空穴之间的分离。