【摘 要】
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在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术分别对Ti-Al-N,ZrN/Zr-Ti-N薄膜进行了制备与研究。
利用TiAl混合靶放电制备了TiAlN薄膜,首先研究并分析了氮气分压对薄膜的组织结
【出 处】
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中国科学院研究生院 中国科学院大学
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在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术分别对Ti-Al-N,ZrN/Zr-Ti-N薄膜进行了制备与研究。
利用TiAl混合靶放电制备了TiAlN薄膜,首先研究并分析了氮气分压对薄膜的组织结构、机械性能及电化学性能的影响。研究结果表明,当氮气分压达到90%以上时能够得到比较理想的TiAlN薄膜。与传统的直流偏压相比,利用脉冲偏压沉积薄膜具有沉积温度低,残余应力小,晶粒细化及颗粒净化等优点。在研究脉冲偏压对TiAlN薄膜的影响时我们发现,脉冲偏压的幅值起主要作用,而占空比和频率对薄膜性能的影响较小。经薄膜改性后样品的电化学腐蚀电流比高速钢基体降低了3～4个数量级,同时腐蚀电位也有了较大的提高。
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