碳纳米管、ZnO纳米线等纳米材料直径不超过几十纳米,长度达到几微米,具有理想的一维结构.利用一维纳米材料构造纳电子器件目前已经是国际上研究的热点.该论文以电学性能测量为重点,较为详细地研究和阐述了一维纳米材料的制备、一维纳米材料的分散和表征、用于纳电子学测量的小电流测量系统的构造、纳电极的设计、半导体型碳纳米管和ZnO纳米线等一维纳米材料的电学性能测量、以及基于单壁碳纳米管为基础的场效应纳电子晶体管的构造工艺和电学性能测量研究等问题.该论文首先介绍了利用化学气相沉积(CVD)方法制备一维纳米材料包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管阵列和ZnO纳米线的工艺过程.在此基础上研究了分散试剂种类、超声功率、超声频率、超声时间等参数和最终取样方法对不同纳米材料在衬底上分散结果的影响.解决分散问题后,又将一维纳米材料分散于电极表面,成功构造了具有源漏和门电极三端结构的纳电子器件,并进行了结构表征.针对纳米材料和纳电子器件尺度小、电流小、测量条件苛刻等特点,解决了纳电极的设计、纳电极引出、系统屏蔽、微小电流测量等问题,设计了专用于纳电子器件测量的小电流测试系统.进一步的研究表明,场效应纳电子晶体管构造过程中金属电极的结构设计、源-漏电极高度、SiO<,2>绝缘层厚度以及金属电极选材等因素都对器件性能有关键的影响等问题.最后,对单壁、多壁碳纳米管和ZnO纳米线等一维纳米材料的电学特性进行了测量工作,发现自然搭置在金属源漏电极两端的半导体纳米材料可以构造肖特基势垒二极管.研究工作还表明,利用较低的脉冲电压,可以有效地改善半导体型单壁碳纳米管和电极金属的接触,降低接触电阻约3个数量级;利用Si基底作为门电极,SiO<,2>为绝缘层,可以成功构造基于单壁碳纳米管束的场效应晶体管.