随着智能手机等移动电子设备的快速普及,平板显示技术得到极大的发展空间。薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）技术作为平板显示器中的共用技术和核心技术,引起了广泛的关注。当前平板显示应用的主流TFT技术是非晶硅TFT,但由于其迁移率低、稳定性差,难以满足高分辨率平板显示（特别是有机发光二极管显示,OLED）的需求。而氧化物TFT（Oxide TFT）由于迁移率高、均匀性好且制备温度较低的特点而受到了国内外产业界和学术界的关注。目前,基于真空法制备的氧化物TFT已经应用于液晶显示（LCD）和OLED电视产品。与基于真空法制备的TFT相比,溶液加工的TFT具有材料利用率更高、生产成本更低以及更适合大面积制备的优点。溶液加工TFT技术将是未来TFT制备技术的发展方向之一。本文的工作主要研究溶液加工的氧化物TFT的材料及其电子墨水的配制和薄膜制备方法。溶液加工法比真空法更加依赖于退火温度,目前大部分的氧化物前驱体溶液（墨水）的转化温度都在300℃以上。优良的墨水配方能够同时兼顾更低的工艺温度和更高的TFT性能两方面的要求,因此氧化物前驱体溶液的配制是溶液加工中的关键技术。针对这一技术,本文首次对高氯酸盐进行研究,结合吉布斯自由能的理论计算,深入探究高氯酸盐的分解转化机理。在此基础上,进一步研究了一种硝酸盐掺杂的高氯酸盐氧化物前驱体墨水配方,降低了退火温度、提高了迁移率。实验发现,高氯酸根与硝酸根同时存在时,由于硝酸根产生的氧自由基会“攻击”具有正四面体稳定结构的高氯酸根,促使高氯酸根在较低温度下分解,而高氯酸根的分解会产生大量的氧气和不稳定的中间产物,进一步促使分解反应的进行,从而能降低退火温度。基于硝酸盐掺杂的高氯酸盐氧化物前驱体墨水的TFT器件在250℃的退火温度下迁移率高达14.5 cm²V^-1s^-1,在350℃的退火温度下迁移率超过50cm²V^-1s^-1,不仅制备温度低于大部分溶液加工氧化物TFT,并且性能更优越。针对传统硝酸盐前驱体墨水转化温度较高,且在更高温退火下氧逸出导致的载流子浓度升高问题提供了一种新的解决方案。本文还对氧化物溶液加工中的另一种低温制膜方法进行了研究,即基于氧化物纳米粒子悬浮液的薄膜制备。与氧化物前驱体溶液法不同的是,分散于溶液中的氧化物纳米粒子无需通过前驱体分解就能成膜,因此这种方法制备薄膜不需要很高的加工温度,兼容大部分类型的衬底薄膜,包括分解温度低于200℃的柔性衬底以及弹性衬底。还研究了不同分散剂（乙酰丙酮和PVP）对成膜质量的影响,在150℃的低温下制备出迁移率超过0.2 cm²V^-1s^-1的氧化物TFT。最后制备了可拉伸石墨烯电极衬底,为下一步可拉伸器件的制备打下基础。