半导体光集成技术能在同一基片上实现具有多种带隙的有源器件和无源器件的组合,这使其在器件集成占有非常重要的地位。其中量子阱混杂技术具有方法简单,易于实现,选择性强等特点,在光集成领域有着广阔的应用前景。量子阱混杂技术中的关键问题是对点缺陷移动的控制。本文研究了等离子增强混杂和无杂质空位扩散方法中点缺陷移动的关键性问题。分析了量子阱扩散的理论模型。得出V族元素和III族元素的扩散长度影响量子阱混杂过程。有利于优化量子阱混杂工艺。设计了偏振光致发光光谱的光学系统。首次在InGaAs/InP单量子阱结构的等离子增强混杂和无杂质空位扩散中,利用这个光学系统产生的偏振光光谱再加以理论分析,获得V族元素和III族元素的扩散长度,对于量子阱混杂过程中点缺陷移动的研究是十分有利的。首次引入材料顶层和绝缘层交界面处的内建电场这一理论,研究在InGaAs/InP单量子阱结构中等离子增强混杂和无杂质空位扩散中点缺陷的移动过程。利用无杂质空位扩散的方法制作了InGaAsP/InP和InGaAlAs/InP多量子阱结构的无源光器件与有源光器件的集成,并表征其性能。本文通过以上四个方面的工作,较为系统的研究了等离子增强混杂和无杂质空位扩散方法中点缺陷移动的关键性问题,为量子阱混杂技术的研究提供了实验依据与理论参考。