LED具有“轻、薄、短、小”的特点，而且封装后耐冲击，使用寿命长，广泛应用于各个领域，其可靠性问题也越来越得到关注，目前采用GaN材料制备的发光二极管(LED)已实现了商业化生产，但是对于GaN材料和LED的研究仍一直在进行，研究重点是提高GaN材料质量和LED的量子效率，提高LED的ESD性能，论文中所进行的主要工作都是围绕着提高LED的光电性能来展开，如提高LED的亮度，降低LED正向电压，提高LED可靠性等，主要有以下几个方面：（1）论文对于实验中所采用的传统结构LED的基本结构以及每层实际的生长参数进行了详细的介绍，通过理论分析指出了影响LED可靠性的几个主要方面。（2）进行了在量子阱势垒层中掺In的实验，降低了阱层中的失配位错密度，减少了非辐射复合中心的数量，阱垒晶格失配产生的应力引起的极化场减弱，使得LED的发光强度得到了提高；同时，量子阱内位错密度的降低使得漏电通道减少，最终导致芯片承受静电击打的能力增强。（3）在垒掺In实验的基础上，对外延片的生长结构进行了优化改进，在p-GaN层上生长了5nm的p-InGaN帽层，测试表明，采用p-InGaN帽层结构之后，P型层的空穴浓度增大，电流扩展能力有所提高，LED的正向电压较原来下降了10%，并且，使得器件电流和电场的集聚减小，抗静电能力得到了一些改善。（4）在进行了上述两项改进后，对LED采用了n-AlGaN的插入层结构，形成了AlGaN/GaN异质结，对载流子产生了一定的限制，使得电子被限制在调制掺杂的n-AlGaN/GaN超晶格中，形成二维电子气，提高了电流的扩展能力，从而避免了因局部电流密度过高而造成的器件损伤，大大改善了LED的ESD性能。实验中对材料和器件所采用的表征手段主要有XRD，PL，SEM等。