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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线阵列以其优异的抗反射能力、极高的晶格失配容忍度和极小的占位面积在新一代高性能、低成本太阳能电池中展现出巨大应用潜力。然而由于纳米线之间空隙的存在,衬底的吸收损耗成为限制纳米线阵列太阳能电池性能的重要瓶颈。本文围绕GaAs纳米线阵列太阳能电池展开研究,旨在通过器件结构创新增强底部反射,在极小的纳米线高度下实现较高的转换效率。取得的主要研究成果如下:(1)研究了实际GaAs纳米线pin结阵列太阳能电池的光谱吸收和光伏性能。研究表明,与填充空气的理想器件相比,填充有机聚合物的实际器件会