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该文主要讨论了利用光谱法诊断等离子体的基本原理和方法,并且与电探针的测量方法及结果进行了比较;在此基础上,他们将这两种诊断方法用于生长GaN晶体的实验之中,通过比较晶体生长速度及质量与等离子体参数间的关系,从而摸索出制约晶体生长的一些基础物理条件.
低温等离子体辅助生长GAN晶体
【摘 要】
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该文主要讨论了利用光谱法诊断等离子体的基本原理和方法,并且与电探针的测量方法及结果进行了比较;在此基础上,他们将这两种诊断方法用于生长GaN晶体的实验之中,通过比较晶
【机 构】
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北京理工大学
【出 处】
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北京理工大学
【发表日期】
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1999年期
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