Al、H共掺杂ZnO透明导电薄膜的研究

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【摘要】

：

铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜因具备成本低廉、无毒和在氢等离子体中稳定性高等优点而成为ITO薄膜的替代者。磁控溅射法具有成膜速率快,附着性好、可大面积沉积等优点而成为制备AZO薄膜首选的方法,但低温沉积的薄膜往往电阻率较高,透光性不好,难以满足光电器件的需要。最近,有文献指出低温下掺入H可以有效提高AZO薄膜的光电性能,但在不同溅射工艺参数下H对AZO薄膜光电特性的影响还缺乏全面系统的研究。本论文旨在

【作者】

：

朱胜君

【机构】

：

武汉科技大学

【发表日期】

：

2011年04期

【关键词】

：

AZO薄膜氢掺杂磁控溅射电阻率透光率禁带宽度(E_g)

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