近年来,压电元器件的小型化和集成化对压电陶瓷的综合性能提出了更高的要求。特别地,在较低的烧结温度获得高的压电性能逐渐成为研究热点。本文以PNN-PZT基多元系固溶体作为研究对象,研究了PNN-PZT基多元系压电陶瓷准同型相界（MPB）处组成和性能的关系,同时对其低温烧结特性进行了研究。首先,研究了Zr/Ti比及烧结温度对PNN-PZN-PZT陶瓷微观结构和电学性能的影响。结果表明,随着Zr含量的增加相结构由四方相（T）向三方相（R）转变。当x=0.46时,在1260 ^oC烧结2 h后,获得了高的密度和优异的电学性能:ρ_v=7.90 g/cm³,?₃₃/?₀=4731,d₃₃=830 pC/N,k_p=0.655,T_c=184 ^oC。然后,采用Li₂CO₃,CaCO₃和Bi₂O₃作为复合烧结助剂,研究了Li₂CO₃含量对该组成烧结特性和电学性能的影响。发现了添加少量Li₂CO₃并没有改变体系的相结构,最优添加量为0.2 wt%。在900 ^oC烧结2 h后,各项性能分别是:d₃₃=690 pC/N,k_p=0.603,?₃₃/?₀=4303,Q_m=55,可以满足Ag浆做内电级的要求;在1050 ^oC烧结2 h后获得了最佳的性能:d₃₃=780 pC/N,k_p=0.658,?₃₃/?₀=4620,Q_m=48可以满足80Ag-20Pd浆做内电极的要求,结果表明,在多层压电器件领域具有巨大应用潜力。其次,基于BZT高的居里温度和优异的电学性能,本文对PNN-BZT-PZT陶瓷进行了系统的研究。研究了（0.9-x）PZT-0.1PNN-xBZT（x=0-0.24）陶瓷随不同BZT含量的相结构变化,烧结行为,微观结构和应变特性。结果表明,BZT能有效降低该体系的烧结温度,而且诱发了从铁电R相到弛豫T相的相转变。当x=0.12-0.18时,组成位于MPB区域。当x=0.16时,获得最优的电学性能:d₃₃=610 pC/N,k_p=0.58,?₃₃/?₀=2518。特别地,在加载第一周期的电场下,可以观察到明显不对称的双极应变曲线。非原位X射线衍射数据结果表明,这种现象应该归结于单一R相组成中电场诱导的不可逆晶格收缩或单一T相组成中的晶格伸长。由于在相界处电场诱导了不可逆T-R相变,两种应变贡献的综合效应让我们观察到不可逆应变S_irr值在x=0.12达到最大。