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利用单量子点光谱成像技术,研究了单个In<,0.5>Ga<,0.5>As/GaAs自组织量子点的(Ⅰ)光发射光子相关特性,(Ⅱ)各向异性和能级劈裂,(Ⅲ)10π Rabi振荡及其衰减特性,和(Ⅳ)π/2脉冲对的位相调制与量子比特的旋转.
单个InGaAs量子点中量子态的光学相干操纵
【摘 要】
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利用单量子点光谱成像技术,研究了单个InGaAs/GaAs自组织量子点的(Ⅰ)光发射光子相关特性,(Ⅱ)各向异性和能级劈裂,(Ⅲ)10π Rabi振荡及其衰减特性,和(Ⅳ)π/2脉冲对的位相调
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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中国科学院物理研究所
【发表日期】
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2003年期
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