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二氧化锡(SnO_2)为四方金红石结构,禁带宽度为3.5eV-4.0eV,本征导电为n型导电材料。通过适当的元素掺杂,可以得到良好导电性能,高可见光透过率和强稳定性的SnO_2基透明导电薄膜。这些优越的性能使其在透明电极、面发热膜、气敏传感器等领域有重要的应用。另外,SnO_2资源丰富,价格低廉且无毒无害,很适合被大批量应用到工业生产中,也是取代目前市场上应用最多的ITO(Indium Tin Oxide)薄膜最理想的材料之一。如果通过合适的制备方法,能够得到优越光电性能的SnO_2透明导电薄膜,将