【摘 要】
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TiO2薄膜在紫外灯照射下表现出良好的杀菌性、超亲水性和光催化活性,这些特性使其在抗菌、防雾及分解机物自清洁领域等方面具有广泛的应用。如何扩大TiO2薄膜对可见光的光谱的响应范围,从而改善薄膜的杀菌性、光致亲水性和光催化活性成为近几年来研究的热点。本研究主要采用溶胶—凝胶法和电子束蒸发法在载玻片上制备TiO2薄膜基底,并主要通过溶胶掺杂和离子束注入两种掺杂方法制备了不同掺杂浓度的Ag-TiO2、
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TiO2薄膜在紫外灯照射下表现出良好的杀菌性、超亲水性和光催化活性,这些特性使其在抗菌、防雾及分解机物自清洁领域等方面具有广泛的应用。如何扩大TiO2薄膜对可见光的光谱的响应范围,从而改善薄膜的杀菌性、光致亲水性和光催化活性成为近几年来研究的热点。本研究主要采用溶胶—凝胶法和电子束蒸发法在载玻片上制备TiO2薄膜基底,并主要通过溶胶掺杂和离子束注入两种掺杂方法制备了不同掺杂浓度的Ag-TiO2、 La-TiO2、CNT-TiO2二元复合薄膜,Ag-CNT-TiO2、N-CNT-TiO2三元复合薄膜。
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TiAlN薄膜作为TiN硬质薄膜最有前景的替代材料，比TiN具有更优良的性能：硬度高、高温稳定性好、摩擦系数低等。因此，TiAlN薄膜广泛应用于切削刀具、模具等领域。TiAlN薄膜的晶体结构和力学性能在很大程度上取决于Al的含量，当Al含量超过TiN的固溶度时，立方相(c)TiAlN向六方相(h)转化而使其力学性能显著降低。因此，TiAlN薄膜中Al含量的控制显得特别重要。本文采用直流、射频反应磁
随着信息、电子和电力工业的快速发展,特别是移动电子设备、固定的动力系统、混合动力电动汽车的发展等迫切需要一种能积累大量能量并能瞬间释放的脉冲电源，即高能量密度和功率密度的超级电容器。为了得到高性能的大容量储能电容器，近年来研究的对象主要集中在制备高储能密度电介质材料上。寻找高介电、低损耗的聚合物电介质材料，一直是高储能密度电介质材料研究的主要问题。尽管在聚合物介电改性方面已经取得了很大的进展,但是
论文采用多靶磁控溅射仪制备了一系列不同N2含量的CrN单层膜、不同Si靶功率的CrSiN复合膜、不同Al靶功率的CrAlN复合膜、不同V含量的CrSiVN复合膜和不同W含量的CrSiWN复合膜。采用SEM、EDS、XRD、纳米压痕仪和摩擦磨损仪等对薄膜的化学成分、组织结构、表面形貌、显微硬度、弹性模量及室温摩擦磨损性能和高温摩擦磨损性能进行了研究。对不同N2含量的CrN薄膜的研究表明：CrN薄膜有
纳米TiO2是一种高介电参数氧化物，由于其独特的光学特性、电学特性以及光催化特性等受到人们广泛的关注。GaN是典型的宽禁带半导体，由于其优良的性能，是目前应用研究较多的一种半导体材料，随着对功率器件高性能和微型化的需求，栅介质薄膜厚度减小到达一定程度时，容易产生隧穿电流，产生击穿现象。因此，研究在GaN基上生长具有高介电常数、稳定性能良好的绝缘氧化物薄膜作为功率器件的栅极介质层，不仅能够有效降低介
有机半导体材料及器件的诸多性能与其聚集态息息相关,不同的薄膜制备手段及处理方法直接影响薄膜的聚集态结构,优化薄膜制备手段与处理方法可为制备高性能有机薄膜器件提供数据基础。本文以4-硝基邻苯二腈为原料、合成了含不同端基的酞菁衍生物：β-四戊氧基取代铜酞菁和β-四(羧基苯氧基)铜酞菁，通过FT-IR、紫外、核磁对化合物进行了化学结构表征分析。本文以酞菁衍生物(β-四戊氧基取代铜酞菁，β-四羧基苯氧基铜
随着纳米科技的发展，Si纳米材料呈现的新特性使其在光电集成领域具有巨大的应用潜力，成为近年来科研的热点。本文通过热丝化学气相沉积法（HWCVD）在玻璃基上制备非晶硅和氢化纳米硅薄膜，探讨不同工艺参数对薄膜性能的影响，并对制备的纳米硅薄膜进行高温氧化处理，探讨在玻璃软化温度以下制备SiO_2镶嵌纳米Si薄膜材料的可行性。利用热丝化学气相沉积法制备了非晶硅和氢化纳米硅薄膜，通过改变衬底温度、氢气浓度和
本文选用PVDF作为基体材料，以纳米钛酸钡(BaTiO3,下文中缩写为BT)与钛酸铜钙(CCTO)为填料采用溶液流延法制备其两相或三相复合薄膜。通过对其介电性能、结晶行为和微观形貌的表征，研究了陶瓷填料及制备工艺等对复合薄膜的性能的影响。研究发现：溶液流延法制备的不同BaTiO3含量的PVDF/BT复合薄膜的介电常数随BaTiO3的含量增加而升高，当BT含量达到50wt%时，复合薄膜的介电常数在室
钛酸钡(BTO)和铁酸铋(BFO)是众多钙钛矿型铁电材料中性质优越且引人注目的两种,本文选择其作为研究对象,通过脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition)的方法制得了不同系列的BTO薄膜和BFO薄膜。通过对薄膜的晶体结构、表面形貌、铁电极化、介电特性和漏电流等的测量,分别探究了不同氧气压生长环境对于钛酸钡薄膜微结构和物性的影响,以及在有原胞台阶的钛酸锶(STO)基片上铁酸铋超薄
本文以甲基嵌段室温硫化硅橡胶（QD-231）为基体橡胶，纳米钛酸钡和植物纤维作为填料，甲基三乙基硅烷低聚物为交联剂，二丁基二月桂酸锡为固化剂，通过流延成膜的方法制备了钛酸钡/硅橡胶、竹纤维/钛酸钡/硅橡胶和木纤维/钛酸钡/硅橡胶一系列复合材料，其中竹纤维分别采用热处理、碱处理和碱与偶联剂共同处理三种处理方法。着重研究了复合材料的介电性能和电击穿强度等电学性能，并利用FTIR（傅里叶红外光谱）、DS
a-C薄膜具有良好的物理化学性能，其应用范围比较广泛。目前大部分研究主要集中在试验参数对薄膜结构和性能的影响，对其内部结构的作用机理研究很少。所以本文从原子角度出发，来分析研究a-C结构及其掺杂Si后其结构、光电性能改善的情况；同时，对试验制备的a-C薄膜进行了一些研究分析。采用第一性原理和分子动力学的方法设计并构造了不同密度的a-C结构模型，结果分析表明不同密度的结构中均存在悬挂键，且在密度2.