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本论文运用一维光电子结构分析模拟软件AMPS-1D对硅基基薄膜太阳电池进行研究。首先分析了p-i-n型非晶硅薄膜太阳电池,然后对p-i-n结构纳米硅电池进行了详细的讨论,最后研究了纳米硅HIT太阳电池。主要内容及结论总结如下:(1).对非晶硅p-i-n单结太阳电池的研究表明,p/i界面处的缺陷态会严重影响电池的性能。因此,需要在p/i界面处设置本征a-Si C:H缓冲层,来减少该处缺陷态密度,以有效降低此处载流子的复合。通过调节缓冲层的带隙可改变价带补偿的分布,使得载流子复合率的分布发生变化