【摘 要】
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SnO作为一种典型的氧化物半导体材料,表现为独特的本征p型导电,在作为锂离子电池电极材料以及制备p型沟道场效应薄膜晶体管(TFTs)方面极具应用前景。但是和众多n型氧化物半导体材料相比,SnO的p型导电机制及其相关性能的研究还不是很深入,这主要是缺乏高质量的SnO样品作为研究对象。而制备高质量SnO薄膜是深入研究其相关性能的前提,因此系统研究SnO的外延生长工艺具有重要的学术意义和实用价值。本论文
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SnO作为一种典型的氧化物半导体材料,表现为独特的本征p型导电,在作为锂离子电池电极材料以及制备p型沟道场效应薄膜晶体管(TFTs)方面极具应用前景。但是和众多n型氧化物半导体材料相比,SnO的p型导电机制及其相关性能的研究还不是很深入,这主要是缺乏高质量的SnO样品作为研究对象。而制备高质量SnO薄膜是深入研究其相关性能的前提,因此系统研究SnO的外延生长工艺具有重要的学术意义和实用价值。本论文提出采用脉冲激光沉积(PLD)法溅射金属Sn靶,以O2为反应气体,在r面蓝宝石上制备SnO外延薄膜。系统
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