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目前应用于微波高频段的材料主要以Ba(Mg 1/3Ta2/3)O3和Ba(Mg 1/3Zn2/3)O3等价格昂贵但微波性能优越的陶瓷材料为主。近年来,随着民用微波通信产业朝向微波高频段延伸,对此类微波材料的价格提出了要求。Ba(Mg1/3 Nb2/3)O3具有价格低廉的优势,相比钽酸盐具有更高的介电常数,同时其理论品质因子值很高,是铌酸盐中最有希望替代钽酸盐的下一代高频应用型微波介质材料。但是Ba(Mg1/3 Nb2/3)O3存在着实际Q值与理论值相差大、谐振频率温度系数偏大(τf= 33×10-6/℃)和烧结温度(1550℃)较高等问题。本论文在对相关文献进行深入研究的基础上,分别从制备工艺、添加低熔点外掺物及两相复合三方面对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷进行改性研究。本文研究了Ba(Mgl/3 Nb2/3)O3陶瓷的制备工艺,重点讨论了烧结制度对显微形貌与微波介电性能的影响。研究表明,选取适当的预合成温度对于保证Ba(Mgl/3- Nb2/3)O3陶瓷烧结过程中杂相的消除起到了关键作用。在1550℃下保温8h进行烧结,得到了较好的微波介电性能:εr=33.5, Q×f=52000,τf=33×10-6/℃。本文分别采用Ca-B-S(iCBS)、CuV2O6、BiVO4三种低熔点外掺物对Ba(Mgl/3- Nb2/3)O3陶瓷进行掺杂改性研究,详细考察了不同掺杂量对相组成、微观形貌和微波介电性能的影响。研究结果表明:(1) CBS掺杂可促进烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波损耗。当CBS掺杂量为3.0wt%时,陶瓷致密化烧结温度由纯相时的1500℃以上降至1250℃左右,微波性能也达到体系最佳值:εr=28, Q×f =67800(8GHz),τf=45×10-6/℃。(2)掺杂CuV2O6能显著降低Ba(Mgl/3Nb2/3)O3陶瓷的烧结温度,但是不能明显改善Q×f值,特别是过量掺杂引起杂相的生成而导致微波性能急剧劣化。当CuV2O6掺杂量为1.5wt%时,陶瓷致密化烧结温度降低至1075℃,材料的微波介电性能达到体系最佳值:εr=35,Q×f=54000(8GHz),τf=-24×10-6/℃。(3)以BiVO4作为烧结助剂可以使Ba(Mgl/3 Nb2/3)O3陶瓷在1150℃～1175℃时实现烧结致密。适量的掺杂可使微波性能得到提高,当BiVO4添加量为1.5wt%时,材料获得体系最佳微波介电性能:εr=34, Q×f=63000GHz (8GHz),τf≈27×10-6/℃。MgTiO3具有与Ba(Mgl/3Nb2/3)O3类似的钙钛矿结构,且具有较大的负温度系数(τf=-55×10-6/℃)。根据复相陶瓷的对数混合法则,在Ba(Mgl/3Nb2/3)O3体系引入适量的MgTiO3可以调节谐振频率温度系数接近于零。本文采用两相复合的方法,以MgTiO3作为复合相制备了(1-X)Ba(Mgl/3 Nb2/3)O3·XMgTiO3复合陶瓷。研究表明,Ba(Mgl/3 Nb2/3)O3体系中部分固溶MgTiO3使得B位有序度提高;随着MgTiO3含量的增加,复相陶瓷的谐振频率温度系数向负方向移动,当x=0.45时,获得了谐振频率温度系数近零的微波介电陶瓷,其微波介电性能为:εr=24, Q×f=43100(8GHz),τf=-1.2×10-6/℃。