反铁磁斯格明子作为一种新型的稳定磁结构,具有尺寸小、运动速度快、无斯格明子霍尔效应等诸多优良特性,有望应用于下一代“更小、更快、更节能”的信息存储设备或其他自旋电子器件中,从而引起了人们的广泛关注。在本文中,我们运用解析推导和微磁学数值模拟的方法,系统地研究了两类由磁晶各向异性强度发生局部变化而引起的缺陷对反铁磁斯格明子运动的影响。计算结果显示,在反铁磁斯格明子的运动过程中,这两类缺陷都如同钉扎点一般,会阻碍斯格明子的运动,在某些情况下甚至还会破坏它的拓扑结构。其产生的具体结果主要取决于驱动电流的大小和缺陷的强度与尺寸。进而我们从能量和力的角度,对不同情况下反铁磁斯格明子的运动行为进行了合理的解释。特别地,当两个斯格明子同时在有缺陷的赛道上运动时,会出现一个斯格明子顺利通过缺陷区域,而另一个被钉扎的现象。基于此,本文提出了一种以反铁磁斯格明子为基本单元的新型逻辑门电路原型。该设计能很好地实现逻辑“与门”、“或门”、“非门”、“与非门”和“或非门”这五种逻辑门的基本逻辑运算。它的成功建立在多种现有的研究成果之上,包括自旋霍尔效应、压控磁各向异性效应、斯格明子之间的相互作用,以及斯格明子和边界的相互作用。值得一提的是,在数字电路中,所有的逻辑运算都可以由逻辑与非门按照一定的规则来实现,所以只要实现了逻辑与非门,理论上其他的逻辑运算也都可能实现。可见,我们的设计具有一定的通用性,可能会为将来基于反铁磁斯格明子的逻辑计算设备的设计和开发提供有力的指导。