基于衬底驱动技术的超低压、超低功耗CMOS模拟集成电路设计

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随着无线通信设备、笔记本电脑、消费类电子和可移植医疗设备市场的不断扩大,极低电压工作环境下的芯片研发日益受到关注。因此,超低压、超低功耗模拟集成电路设计已经成为IC设计的重点方向之一。本文首先介绍超低压、超低功耗模拟集成电路的发展趋势,同时也分析了目前超低压、超低功耗模拟集成电路设计的主要方法和挑战;重点研究了衬底驱动技术在超低压、超低功耗模拟集成电路设计中的应用。论文通过介绍衬底驱动技术的原理,对衬底驱动MOS管的工作原理、电器特性等进行系统分析。同时运用衬底驱动技术,基于TSMC 0.25μm标准CMOS工艺,设计了工作在0.8V的轨至轨(rail-to-rail)CMOS运算放大器;运用衬底驱动技术,结合亚阈值技术和组合MOS管技术,分别基于CSMC 0.6μmCMOS工艺、TSMC 0.35μm CMOS工艺对传统的密勒运算跨导放大器(Miller OTA)电路进行改进,使其分别工作在0.9V和0.6V的超低电压下。用Hspice对所设计的运算放大器电路进行仿真,仿真结果表明:由于采用了衬底驱动技术使得所设计的电路在超低电压下获得比较好的性能。论文最后运用Cadence Virtuso工具对超低压、超低功耗的电路进行了版图设计。
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