二维过渡金属硫族化物具有直接带隙、较强的光与物质相互作用、较高的载流子迁移率、较大的激子结合能等优点,在光电领域具有广泛的应用范围;同时它们还具有优异的机械性能,转移过程不需要考虑晶格匹配,与CMOS工艺兼容,因而在片上光互联、柔性光电子器件领域具有广泛的应用前景。但这些光电特性容易受到环境的影响,如衬底、掺杂、张力等。本论文对空气与真空中的单层WS₂在激光长时间照射下的荧光谱变化进行了研究,发现空气中以及衬底上附着的分子在激光照射的情况下与WS₂发生化学反应,实现对WS₂的掺杂,引起光谱的变化。论文中还提出了一种基于WS₂的与CMOS工艺兼容的全光调制器,采用532 nm的光做调制光,640 nm的光做信号光,实现了超过10 dB的消光比,并对信号光具有较强的增益。在柔性光电子器件的制备方面,本论文提出了一种利用剥离方法将硅衬底上的Si₃N₄圆盘转移到PET的工艺,并制备了基于WS₂的柔性样品,测量了样品的荧光谱,为下一阶段制备基于二维材料的柔性光电子器件打下基础。