场发射显示器(Field Emission Display，FED)具有轻薄、功耗小、图像质量好等优越性，被认为是下一代理想的平板显示器。碳纳米管的发现，引起了全世界众多科学家的关注，其优异的电学、力学、磁学性能，可以在许多领域得到应用。尤其它具有大的长径比，低功函数，良好的导电性和纳米级尖端，使它能够在较低的电压下就能长时间发射电子，因此被认为是一种优良的场发射阴极材料。　　 随着碳纳米管的发现，基于丝网印刷技术的碳纳米管场致发射显示器件成为目前平板显示领域的研究热点。器件性能提高的关键是碳纳米管阴极场致发射特性的改善，而更基本的是开发满足器件要求的可印制的碳纳米管基冷阴极材料。器件实用化的关键则是提高大面积场致发射的均匀性和稳定性。在总结场致发射技术进展和大量前期实验的基础上，本论文的研究工作主要是对碳纳米管阴极薄膜进行后处理，后处理可极大改善碳纳米管薄膜的场发射性能。本文用氦等离子体烧蚀CNTs薄膜阴极，能增加碳纳米管的缺陷，增加电子发射点数量，等离子处理还可使使粘连的碳管随其表面粘附有机物的蒸发而分散开，管间隙增加，屏蔽效应减小，场倍增因子增大。因而氦等离子体烧蚀是提高碳纳米管场发射性能的一种有效方法，对研发平板显示器阴极材料有重要意义。