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本文理论研究了垂直外场下反铁磁裸膜和带有反铁磁缺陷层的一维光子晶体的透射性质和Faraday效应。首先推导了在这种外场作用下反铁磁体的磁化率。在此基础上，运用麦克斯韦方程和传输矩阵法，计算了外场与各向异性轴平面平行（或垂直）体系表面时，反铁磁单层膜和带有反铁磁缺陷层的一维光子晶体的反射率、透射率以及Faraday旋转角。其中，外场与各向异性轴平面平行体系表面的情况不存在Faraday效应。数值分析了外加静磁场和反铁磁层厚度等因素对研究体系这些性质的影响。主要结论如下： 1．随着外加静磁场的增加，反铁磁体的磁化率张量元χxx和χyy的共振峰向低频区移动；然而，另外两个独立的张量元χyz和χzz的共振峰却向高频区移动。 2．对于反铁磁单层膜，在其共振频率附近出现吸收峰。在外场与各向异性轴平面平行于反铁磁膜表面时，这个吸收峰随外加静磁场的增加向低频方向移动；在外场与各向异性轴平面垂直于反铁磁膜表面时，这个吸收峰随外加静磁场的增加向高频方向移动。 3.外场与各向异性轴平面平行体系表面时，带有反铁磁缺陷层的一维光子晶体的透射谱中出现缺陷模，随着电介质双层数的增加，缺陷模的透射率降低。电介质双层的位置互换，禁带及缺陷模的位置并不发生变化。随着入射角度增加，位于高频处的缺陷模的透射率先增大后减小并向高频方向移动；低频的缺陷模的透射率却一直在减小。 4.外场与各向异性轴平面垂直体系表面时，带有反铁磁缺陷层的一维光子晶体的透射谱中出现缺陷模，并且在缺陷模频率处体系的法拉第旋转角最大。这个旋转角的大小和频率位置以及对应的透射率可以通过外加静磁场、反铁磁层的厚度以及非磁性层的电介质常数来调节。当外加静磁场为H0=100KG，反铁磁层厚度为da=27μm时，缺陷模处的法拉第旋转角高达0.1μm-1，比单层反铁磁膜的法拉第旋转角大100倍。