在微电子技术迅猛发展的今天，电子元器件不断向小型化、多功能化、集成化的方向发展，电子器件的集成度越来越高，这对电路的封装材料要求也越来越高。锂铝硅微晶玻璃由于具有高抗弯强度、低热膨胀系数、良好的介电性能，因此具有作为LTCC封装材料的潜能。本文将其选作为研究对象，通过对配方和机理的研究，制备出符合要求的LTCC封装材料。　　本文采用熔融法制备锂铝硅微晶玻璃，研究了晶核剂、稀土氧化物掺杂对样品的晶相变化、微观结构、抗弯强度、热膨胀系数、介电性能的影响。研究表明，当ZrO2+TiO2复合掺杂的掺杂量不变，ZrO2含量较高的样品拥有更高的抗弯强度和更好的机械性能；在锂铝硅微晶玻璃中外掺La2O3，能够提升样品的抗弯强度和热膨胀系数，La2O3掺杂量为0.2wt％时，抗弯强度达到163MPa，热膨胀系数为2.64×10-6/℃，综合性能最佳；在锂铝硅微晶玻璃中外掺1wt%Sm2O3，样品拥有最低的介电常数（7.9）和介电损耗（1.23×10-3）、最高的抗弯强度（162MPa），综合性能最佳，继续增加掺杂量会恶化样品的微观结构，影响样品的性能；在锂铝硅微晶玻璃中外掺Cr2O3，能够改善样品的微观结构、显著提高样品的抗弯强度，Cr2O3掺杂量为3wt%时，样品拥有最为致密的微观结构和最高的抗弯强度（208MPa），综合性能最佳。通过对锂铝硅微晶玻璃的掺杂改性研究，提升了样品的性能，最终得到了性能优异的LTCC封装材料。　　为了预测和控制微晶玻璃样品的热膨胀系数，本文借鉴已有的热膨胀系数计算模型，提出了氧化物法和晶相法两种热膨胀系数的计算方法。氧化物法从微晶玻璃配方的原材料入手，其计算值与实际测试值之间的误差很大；晶相法从微晶玻璃的组成入手，对残余玻璃相和各晶相分别进行了分析，得到的计算值与实际测试值相吻合，其误差在±15%以内，说明了可以通过控制微晶玻璃的析晶来调整热膨胀系数。　　本文对锂铝硅微晶玻璃的析晶动力学进行了研究，分别采用Kissinger分析法和Ozawa分析法计算了样品的析晶活化能E，得到了相近的计算结果。采用Ozawa分析法计算了析晶指数n，结果表明本实验中的微晶玻璃为整体析晶。