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当前SoC系统中为了提高系统性能都会内嵌各种存储器，尤其是静态随机存储器(SRAM)，由于其兼容标准的CMOS工艺而成为内置存储器的首选。内置SRAM不论是在芯片面积上还是在功耗上都占有非常大的比重，所以它的性能决定了整个系统的性能。在TFT-LCD驱动显示芯片中嵌入SRAM，减轻了MPU的负担。MPU需要对内置存储器存储的一帧显示图像数据进行数据操作时，通过设置指令就可以在驱动芯片中完成这些操作。 论文的研究内容是西北工业大学航空微电子中心所承担的国家863计划资助项目“手机用TFT-LCD驱动显示芯片设计技术研究”的一部分。论文研究的内容包括两个部分：SRAM存储电路的设计和SRAM控制电路的设计。 SRAM存储电路的设计部分包括存储单元、译码电路、读写驱动电路和预充电路等。首先分析了层次字线和分级字线的原理，确定了内置SRAM存储阵列分为四块的整体结构。之后，通过仿真存储单元的噪声容限设计了SRAM六管存储单元的尺寸。使用二级译码设计了普通写与高速写兼容的译码电路。最后，根据本文设计的SRAM读出数据没有使用读出放大器的特点，设计了电荷再分配的预充电路，使得在SRAM预充电时的功耗明显减小。同时，分块预充电机制保证了预充电时间。 SRAM控制电路向SRAM存储电路提供地址、读写控制及图像操作。这些操作包括位屏蔽操作、虚写操作、高速写操作。通过在控制电路中产生高速写脉冲，在译码电路控制地址，在读写驱动电路暂存数据实现了高速写。由于本文描述的SRAM有两种访存操作：MPU正常读写和行扫描。这两种操作会同时对内置SRAM访问，因而产生冲突，因此设计了MPU访问优先的访问冲突解决方案来解决这个问题。 NanoSim仿真结果表明，SRAM存储单元的读写时间小于8ns，当访存时钟频率为3.8MHz时，静态功耗为1.1mW，动态功耗小于4mW。