为了提高集成电路的生产率,避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效,而引入了基于熔丝技术的冗余技术。新兴的电子可编程熔丝(efuse)以其体积小、成本低廉、可缩小性强、可以在封装之后再进行配置等众多优点,取代传统熔丝,成为该领域的研究热点。本文首先总结了efuse当前的国内外研究现状,深入分析了影响熔丝结构的各项参数,并且对现有结构进行深入分析。并利用低压差线性稳压器(LDO)输出电压不随电源电压变化的特性,与efuse存储单元相结合,设计了可以应用于宽电压范围的efuse存储电路。在此基础上,对整体电路以及关键部件参数进行仿真验证,并基于中芯国际65nm低漏电CMOS工艺进行流片测试。测试结果表明：当电源电压在2.5V-3.6V时,LDO线性稳压器的输出,即efuse的编程电压稳定在2V-2.3V,符合65mmefuse的编程条件。编程后的熔丝电阻都达到105欧姆,输出模块可以准确识别,并输出正确结果。