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本文将研究激光掺杂技术与电镀技术相结合的方法制作晶体硅太阳能电池的栅线。实验采用P型156mm×156mm±0.5mm多晶硅片作为硅衬底。该方法主要是在镀氮化硅膜后的硅片表面进行激光掺杂开槽,然后使用化学镀镍,光诱导电镀铜和银的方法在晶体硅前表面形成栅线。得到了转换效率超过17%的多晶硅太阳电池,与常规生产工艺得到的晶体硅电池相比,效率提高了近1%。相应的串联电阻为2.30m0hm,开路电压为0.631V,短路电流为8.525A,填充因子为77.30%。本文主要取得了以下的研究成果：1通过