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本文测量了在ZnO中加入少量的TiO2或CuO后样品中的电子密度及其电阻率。以此为基础，采用固相反应法分别制备了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2，ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3和ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3系列压敏电阻，测试了其电性能；采用正电子寿命谱仪、符合正电子湮没辐射多普勒装置、扫描电镜等多种实验方法分析了其微结构，讨论了晶界结构和电子密度对ZnO压敏陶瓷电性能的影响，得到如下实验结果：
1．在ZnO中加入少量的TiO2，随着ZnO陶瓷中TiO2含量的增加，样品的电阻率降低，TiO2含量为1.8mo1％时，样品的电阻率最低；而当TiO2含量高于1.8mo1％时，样品的电阻率升高。当TiO2含量低于1.8mol％时，样品的正电子平均寿命随TiO2的增加而减小，这表明，样品中的自由电子密度随TiO2含量的增加而增加，从而导致样品的电阻率降低；当TiO2含量高于1.8mol％时，随TiO2含量的增加，样品的正电子平均寿命增加，即自由电子密度降低，样品的电阻率升高。
2．在ZnO陶瓷中加入少量的CuO，样品的电阻率显著升高，当CuO含量为2.3mol％时，样品的电阻率最高。正电子寿命测量结果显示：用少量的CuO对ZnO掺杂，样品的正电子平均寿命增加，即样品的自由电子密度降低，导致样品的电阻率升高。
3．比较金属铜和金属锌的正电子湮没辐射Dopple展宽谱的商谱发现，正电子与金属铜原子的3d电子的湮没概率高于与金属锌原子的3d电子的湮没概率。
4．在ZnO中加入少量的CuO，当CuO含量低于2.0mol％时，样品的商谱谱峰随CuO含量的升高而升高；当CuO含量高于2.0mol％时，样品的商谱谱峰随CuO含量的升高而降低。
5．比较ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2、ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3和ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3系压敏陶瓷的正电子寿命谱参数及其电性能发现，ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3压敏陶瓷的正电子平均寿命较长，即该样品基体中的自由电子密度较低，其压敏电压较高；而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷的正电子平均寿命较短，该样品基体中的自由电子密度较高，其压敏电压E和漏电流IL较低，非线性系数α较高。