针对近些年卫星介质深层充电频频引发地球同步轨道卫星运行发生故障，本文利用MCNP方法模拟了卫星介质深层充电的过程，通过MCNP方法得出的理论计算值能为卫星在太空中安全运行提供了数据支持和技术参考。MCNP方法是将概率论和计算机技术相结合而产生的一种计算方法，根据实际需要建立理论模拟模型，并将计算机模拟结果作为待解决问题的近似值。本文把高能电子在航天器介质平板模型中的充电过程简化为电子穿过屏蔽物质进入到介质Epoxy中。首先模拟在没有屏蔽物质时，0.75MeV单能电子入射，计算出介质Epoxy内部产生最大电场的厚度为0.3cm；其次根据计算出来的介质厚度，模拟出有屏蔽物质Al时，最佳屏蔽厚度为0.1cm；再次，模拟4种材料（Al、Ag、Fe、Organic Glass）做为屏蔽物质时，不同入射电子能量对介质内部产生的最大电场的影响的对比，得出相同条件下，屏蔽效果最好的为Ag物质，但综合考虑（例如价格）后，选为最佳卫星屏蔽物质为Al材料；最后模拟出Al作为屏蔽物质，不同的厚度下，不同入射电子能量对介质内部产生的最大电场的影响，得出随着屏蔽物质厚度的增加，介质内部产生的最大电场值逐渐降低，并且介质内部产生最大电场时对应的入射电子的能量是增大的。