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传统的功率因数校正(Power Factor Correction-PFC)拓扑由二极管整流桥与Boost电路级联组成。该级联拓扑的电流回路中器件数较多,导致导通损耗大,限制了效率的提高。无桥PFC拓扑能够减少电流回路中的器件数,降低导通损耗,其中半桥PFC拓扑中电流回路器件数最少,因而导通损耗更小。但是,该拓扑中开关器件电压应力较大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗大,效率低。新型的碳化硅基MOSFET兼顾了高耐压与低通态电阻,因而导通损耗较小。且由于其开关速度快,所以开关损耗较小,可以极大提高半桥PFC的整体效率。但是,由于高频工作时其开通损耗比重仍然较大,严重制约变换器效率的提高。本文利用碳化硅基MOSFET优良的关断特性,采用让电感电流反向的零电压(Zero Voltage Switching-ZVS)控制策略,利用反向电感电流实现上下管的自然换流,使需要开通的开关器件的体二极管导通,让器件工作在零电压开通状态下,消除开通损耗,降低开关损耗,提升效率。针对这种电感电流反向的零电压(Zero Voltage Switching-ZVS)控制方式,论文给出了各个关键参数与关键控制电路的设计,分析建立了小信号与控制回路的数学模型,并介绍了数字控制的实现方案,搭建了一台数字控制的输出功率为1100W的实验样机,通过实验验证了碳化硅基MOSFET应用于半桥PFC能达到较高的效率。同时,针对数字控制半桥PFC电路的高频效率优化,本文进行了实验以及分析,提出了几种解决方案。