银纳米颗粒在太阳能电池领域极具应用前景，受到广泛关注。例如，利用纳米银颗粒的局域表面等离子体共振效应实现对入射光子的选择吸收、增强吸收等效应，可以有效地拓宽太阳能电池的吸收光谱范围。通常银纳米颗粒采用化学的方法制备，不利于其与大面积硅电池片的复合。因此，本工作将采用磁控溅射的物理沉积技术研究在硅基片上制备不同大小、形状和分布的银纳米颗粒的方法；然后重点研究了在等离子体反应刻蚀制备黑硅材料工艺中，银纳米颗粒作为微掩模形成表面陷光纳米结构的机制，以及黑硅材料的性能；最后，着眼于功能薄膜的制备需要，我们探讨了在硅单晶基片上制备择优取向银薄膜的方法。无掩模等离子体刻蚀技术已经应用于硅太阳能电池的表面制绒，然而传统的刻蚀工艺以SF6/O₂作为刻蚀气体会在硅电池片表面引入额外的缺陷和杂质相，降低少数载流子的寿命。本文中我们提出将银纳米颗粒膜集成到单晶硅片上，以其作为微掩膜通过SF6等离子体干法刻蚀在硅表面制备了出纳米陷光结构的方法。实验表明：通过溅射参数的优化，可以制备出不同尺寸、不同分布的银纳米颗粒；银颗粒的大小、分布及表面形貌对制绒硅片的表面结构及反射率有着直接影响，反射率可达较低的水平；由于不需要O₂参与，消除了因O₂等离子体引起的损伤，表面缺陷态密度小，提高了硅片的少数载流子寿命。该方法为黑硅材料的制备提供了一个新的技术途径。Pt是较常用的底电极材料，通常在硅单晶基片上呈（111）择优取向；然而在Pt/Si上生长的功能薄膜常需要（100）择优的Pt薄膜。我们以银作为过渡层成功地在硅衬底上制备出（100）择优的Pt薄膜，为后续其它功能薄膜的外延生长提供了条件。本工作研究银纳米颗粒和择优取向薄膜的磁控溅射制备技术，并将其应用于黑硅材料的制备和（100）择优取向Pt薄膜的生长，取得了较好的结果。