基准电压源被广泛使用在模拟、数字和数模混合信号的系统中，它为整个系统提供精准的参考电压，其性能至关重要。随着集成电路工艺尺寸的进一步减小和消费类电子产品的普及，实现基准电压源在低电源电压环境下的低温漂工作尤其重要。　　 本文分别基于CSMC-0.5μm亚微米工艺和SMIC-0.13μm深亚微米工艺，利用工作在亚阈值区的MOSFET设计CMOS基准电压源，在保证低压低温漂两个指标的前提下，兼顾其它相关指标。本文首先概述了基准电压源的技术指标、温度补偿原理和降低其正常工作的电源电压的途径。其次，提出了一种基于峰值电流镜的偏置电路，利用该电路分别设计了两款亚阈值型的CMOS基准电压源。其中，方案一利用不同电阻的组合来对MOS管栅-源电压随温度变化的高阶项进行补偿，但电源电压不够低；方案二利用温度分段补偿电路来实现温度的高阶补偿，进一步降低了温漂系数和电源电压。再次，分别基于CSMC-0.5μm和SMIC-0.13μm标准CMOS工艺，绘制了方案一和方案二的版图并进行了流片。　　 经过对方案一和方案二的芯片测试，它们能够正常工作的最低的电源电压分别为1.6V和0.4V。在电源电压分别从1.6V到5V和0.4V到1.45V的变化范围内，方案一和方案二CMOS基准电压源的输出电压分别变化了13mV和10mV；在温度从-30℃到80℃的范围内，输出电压分别变化了6mV和3mV。测试结果不太理想，与仿真结果存在一定的差异，最后分析了出现差异的原因，并对下一步工作进行了展望。