论文部分内容阅读
原位强化的梯度钛合金电弧增材制造工艺及组织性能研究
【机 构】
：
兰州理工大学
【出 处】
：
兰州理工大学
【发表日期】
：
2019年01期
其他文献
硅是微电子器件中应用最为广泛的半导体材料,以其为基础的各类硅系纳米材料具有与块体硅材料完全不同的光学、电学特性,可用于制备各种纳米器件。在本研究中,以SiHH4和H2为前
在科学探索和技术运用的双重驱动下,多铁性材料在近年来得到了广泛的关注和长足的发展。通过离子置换在充满型四方钨青铜化合物中引入磁性离子是探索多铁性材料新体系的一条
黄山市徽州区西溪南镇,一座有着“歙邑首富”之称的千年古镇,山水一品、文化厚重、人杰地灵.近年来,随着域内交通的愈发便捷、物产及旅游资源的开发,这个拥有1.5万常住人口的
期刊
A mathematic-physical convection model in upper mantle is established in this paper. This model is in a three di-mensional frame. Assume that the density anomalies, which are mapped from the seismic t
氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带(3.4 eV)半导体材料,因其独特的特性被广泛的利用在很多领域如在光电子方面GaN基的高效率蓝绿光LED超大屏全色显示节约环保高效比普通白织灯节电5-10倍,在微电子方面利用GaN材料可制备高频大功率电子器件上有望在航天航空等特殊环境下发挥重要作用,目前其研究与应用成为全球范围内半导体研究热点之一。针对目前主流制备薄膜方法,如分子束外延法(MBE)、金属有机物